Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 24, Numéro 12, décembre 1989
Page(s) 1071 - 1075
Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 1071-1075 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:0198900240120107100

A.C. conductivity of amorphous Ga-Se-Te system

A.S. Maan1, D.R. Goyal1 et A. Kumar2

1  Physics Department, Maharshi Dayanand University Rohtak - 124001, India
2  Department of Physics, Harcourt Butler Technological Institute, Kanpur 208002, India

Present communication reports the temperature and frequency dependence of a.c. conductivity (_a.c.) in [FORMULE]. Temperature dependence of _a.c. in this system has been interpreted in terms of contributions from bipolaron and single polaron hopping mechanisms. The _a.c. varies as _ _s in the observed frequency range. Frequency exponent s is always smaller than 0.8 and shows a weak temperature dependence below 200 K for x = 20 and 40. However for x = 30 sample the variation of s with temperature is relatively pronounced. At low temperature the value of s increases with increasing Te percentage.

Cet article donne la dépendance en température et fréquence de la conductivité a.c. (_a.c.) dans un système [FORMULE]. La dépendance en température de _a.c. dans ce système a été interprétée en termes de contributions des mécanismes de saut de bipolaron et de polaron unique. _a.c. varie approximativement comme _s dans le domaine de fréquence observé, où s est toujours plus petit que 0,8 et dépend peu de la température pour x = 20 et 40 lorsqu'elle est inférieure à 200°. Cependant, pour l'échantillon x = 30, la variation de s avec la température est relativement importante. A basse température, la valeur de s augmente avec le pourcentage de Te.

7220F - Low-field transport and mobility; piezoresistance.
7280N - Disordered solids.
7138 - Polarons and electron-phonon interactions.
7230 - High-frequency effects; plasma effects.

Key words
chalcogenide glasses -- electrical conductivity of amorphous semiconductors and insulators -- gallium compounds -- high frequency effects -- hopping conduction -- polarons -- temperature dependence -- bipolaron hopping mechanisms -- semiconductors -- amorphous Ga Se Te system -- frequency dependence -- AC conductivity -- single polaron hopping mechanisms -- frequency range -- 200 K -- Ga sub 40 Se sub x Te sub 60 x