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Article cité :

Simulation d'un transistor MOS silicium-sur-isolant à désertion profonde avec contrôle du potentiel arrière

F. Balestra, J. Brini

Rev. Phys. Appl. (Paris), 19 11 (1984) 921-926

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011092100

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Références

Citations de cet article :

Adaptation of the pseudo-MOS transistor for the characterization of silicon-on-sapphire films

Nasser Hefyene, Sorin Cristoloveanu, Gérard Ghibaudo, et al.
Solid-State Electronics 44 (10) 1711 (2000)
https://doi.org/10.1016/S0038-1101(00)00144-1