Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 22, Numéro 7, juillet 1987
Page(s) 603 - 612
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207060300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 603-612 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002207060300

Texture analysis of silicon with an heterogeneous morphology used for the photovoltaic conversion by neutron diffraction

P. Andonov1, P. Dervin2 et C. Esling3

1  Laboratoire de Magnétisme du CNRS, Bellevue,1, place A.-Briand, 92195 Meudon Principal Cedex, France
2  Laboratoire Léon Brillouin, CNRS-CEA Saclay, 91191 Gif-sur-Yvette Cedex, France
3  Laboratoire de Métallurgie Structurale, Faculté des Sciences, Ile du Saulcy, 57045 Metz Cedex, France


Abstract
Polycrystalline silicon ingots, obtained by rapid solidification according to Bridgman method without seed crystal, are studied. The texture in the bulk, determined using the transmission neutron diffraction, is characterized from the direct pole figures plotted for the four families of the low indices lattice planes (400), (220), (111) and (113). An accurate exploring mode has been defined for this heterogeneous material. The use of smoothing computer programs on the pole densities is necessary to calculate the Orientation Distribution Function (O.D.F.) by spherical harmonics analysis.


Résumé
L'étude a porté sur un matériau polycristallin massif obtenu par refroidissement rapide dans un gradient thermique selon le procédé de Bridgman sans germe. La texture en volume, étudiée par diffraction neutronique en transmission, est caractérisée à partir des figures de pôles directes relatives aux quatre families de plans cristallographiques : (400 ), (220 ), (111 ) et (113 ). Un mode d'exploration précis a été défini pour ce matériau hétérogène. Le calcul de la Fonction de Distribution des Orientations Cristallines ne peut se faire qu'après utilisation d'une technique de lissage des densités de pôles.

PACS
6480G - Microstructure.

Key words
elemental semiconductors -- neutron diffraction examination of materials -- silicon -- texture -- semiconductor -- texture analysis -- polycrystalline ingots -- heterogeneous morphology -- photovoltaic conversion -- neutron diffraction -- rapid solidification -- Bridgman method -- direct pole figures -- low indices lattice planes -- exploring mode -- smoothing computer programs -- pole densities -- orientation distribution function -- spherical harmonics analysis -- Si