Rev. Phys. Appl. (Paris) 6, 11-18 (1971)
DOI: 10.1051/rphysap:019710060101100

Dislocations et fautes d'empilement par microscopie ionique à champ

J. Gallot¹ et D.A. Smith<sup>2

1</sup>  Université de Rouen, Faculté des Sciences, Mont-Saint-Aignan, France
²  Département de Métallurgie, Université, Oxford, Angleterre

Abstract
The field-ion image a surface in which a dislocation emerges depends principally on the perturbation of the surface along the local normal. The surface configuration for single perfect and partial dislocations, loops, stacking faults and dissociated dislocations are deduced and correlated with expérimental observations in face centred and body centred cubic metals. The theory is also applied to dislocations in low angle and high angle grain boundaries. Some limitations of the methods of analysis and the validity of the observations are indicated.

Résumé
L'image, donnée par microscopie ionique, d'une surface où émerge une dislocation, dépend principalement de la perturbation de cette surface le long de sa normale. Les configurations de la surface pour des dislocations parfaites et imparfaites, des boucles, des fautes d'empilement et des dislocations dissociées, prédites théoriquement ont été corrélées avec les observations expérimentales dans les métaux cubiques faces centrées et cubiques centrés. La théorie est aussi appliquée aux dislocations dans les joints de grains. On indique quelques limitations de la méthode et la validité des observations.

PACS
6170 - Defects in crystals.

Key words
dislocations -- microscopy -- field ion microscope -- dislocation -- perturbation -- surface configuration -- loops -- stacking faults -- grain boundaries