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Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 6, Numéro 1, mars 1971
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| Page(s) | 5 - 10 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01971006010500 | |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 6, 5-10 (1971)
DOI: 10.1051/rphysap:01971006010500
Laboratoire d'Electronique et de Physique Appliquée 94, Limeil - Brévannes
6170T - Doping and implantation of impurities.
8110B - Crystal growth from vapour.
Key words
crystal growth -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- ion implantation -- GaAs -- doping control -- epitaxial growth -- concentration profile -- doping by back diffusion
DOI: 10.1051/rphysap:01971006010500
Contrôle du dopage dans la croissance épitaxiale d'arséniure de gallium
A. Boucher, J.P. Chané et E. FabreLaboratoire d'Electronique et de Physique Appliquée 94, Limeil - Brévannes
Abstract
In this paper we shall give our last results on the setting of the doping level and the concentration profile of vapor grown Gallium Arsenide epitaxial layers. An operating process of doping by back-diffusion and our methods of characterization are given.
Résumé
Nous présentons nos résultats récemment acquis dans la maîtrise du niveau et du profil de dopage de couches d'arséniure de gallium préparées par épitaxie en phase vapeur. Nous décrivons un procédé de dopage par rétrodiffusion, et exposons nos méthodes de caractérisation.
6170T - Doping and implantation of impurities.
8110B - Crystal growth from vapour.
Key words
crystal growth -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- ion implantation -- GaAs -- doping control -- epitaxial growth -- concentration profile -- doping by back diffusion