Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 729-732 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012072900

On the influence of recombination centers on the electrical performance of silicon power rectifiers

M. Derdouri et A. Muñoz-Yagüe

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C.N.R.S., 7, avenue du Colonel-Roche, 31400 Toulouse, France

Abstract
The use of gold, platinum and electron irradiation induced defects as recombination centers in silicon devices is studied. Results are presented concerning the variations of carrier lifetime with the concentration of both deep and shallow level impurities, for different bias conditions. The influence of carrier lifetime on the electrical performance of power PIN rectifiers is considered in order to compare the relative advantages of the lifetime controlling techniques.

Résumé
On étudie l'or, le platine et les défauts créés par irradiation électronique en tant que centres recombinants dans les dispositifs au silicium. Les résultats présentés montrent les variations de la durée de vie des porteurs avec les concentrations de centres profonds et d'impuretés dopantes, pour différentes conditions de polarisation. L'influence de la durée de vie des porteurs sur les caractéristiques électriques des diodes PIN de puissance est enfin considérée dans le but de comparer les différentes techniques de contrôle de ce paramètre.

PACS
2560H - Junction and barrier diodes.

Key words
electron hole recombination -- impurity electron states -- semiconductor diodes -- electron irradiation induced defects -- carrier lifetime -- shallow level impurities -- power PIN rectifiers -- Au centres -- Pt centres -- Si power rectifiers -- semiconductor device -- recombination centres -- deep levels -- SCR