Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 725-728 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012072500

Static induction thyristor

J. Nishizawa et K. Nakamura

Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai 980, Japan

Abstract
Recent experimental results of Static Induction thyristor, in which the injection of the carrier is controlled by the electro-static field around the gate, are reported comparing with the theoretical estimations. SIT thyristor can switch even d.c. power with very high speed and with relatively high efficiency. Fall time and forward voltage drop have been able to be as small as 50 ns and 1.5 V, respectively.

Résumé
On présente des résultats expérimentaux récents sur le thyristor à induction statique (SIT thyristor), dans lequel l'injection de porteurs est contrôlée par le champ électrostatique autour de la porte. Ces résultats sont comparés avec les estimations théoriques. Le SIT thyristor peut couper le courant continu avec une très grande vitesse et une efficacité relativement bonne. La constante de temps de coupure et la chute de tension peuvent être aussi faibles que 50 ns et 1,5 V, respectivement.

PACS
2560L - Thyristors and silicon controlled rectifiers.

Key words
semiconductor switches -- thyristors -- forward voltage drop -- static induction thyristor -- semiconductor device -- fall time -- gate voltage -- input output characteristics -- switching