Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 719-723 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012071900

Shot noise behaviour of subthreshold MOS transistors

J. Fellrath

CEH, rue Breguet 2, Neuchâtel, Switzerland

Abstract
It is shown that assuming weak inversion, low drain current asymptotic value of the gate equivalent noise resistor is given by n2/2 UT/ID, corresponding to shot noise. Measurements confirming this theory as well as flicker noise measurements on n and p channel transistors integrated with either bulk or SOS CMOS silicon gate technology are presented.

Résumé
On montre, qu'en faible inversion, l'asymptote petits courants de la résistance équivalente de bruit ramenée à la grille vaut n2/2 UT/I D et qu'elle correspond à un bruit de grenaille. Des mesures confirmant cette théorie ainsi que des mesures de bruit de scintillement sont présentées. On utilise des transistors à canaux p et n intégrés en technologie CMOS à grille de silicium sur silicium massif et sur saphir.

PACS
2560R - Insulated gate field effect transistors.

Key words
electron device noise -- insulated gate field effect transistors -- random noise -- subthreshold MOS transistors -- weak inversion -- drain current -- gate equivalent noise resistor -- shot noise -- flicker noise -- semiconductor device