Rev. Phys. Appl. (Paris) 1, 172-178 (1966)
DOI: 10.1051/rphysap:0196600103017201

Étude de la préparation et des propriétés électriques de couches minces semiconductrices d'antimoniure d'aluminium

J.P. David, L. Capella, L. Laude et S. Martinuzzi

Laboratoire de Physique S. P.C. N. , Laboratoire d'Héliotechnique, Laboratoire de Cristallographie Physique, Faculté des Sciences de Marseille

Abstract
AlSb thin films, showing semiconducting properties similar to those of massive material, have been obtained. The preparation uses a coevaporation process of stoichiometric amounts of components. For temperatures higher than 650 °C, only the compound AlSb is crystallized through liquid phases of components, while a residual antimony phase coexists with it for annealing between 520 and 650 °C. All the films are p type and their conductivities range from 0. 05 to 0. 5 Ω-1 cm- 1 at 20 °C. I. R. and visible transmission and reflectivity were studied ; this permitted the determination of the optical forbidden band gap found at 1.90 eV, associated with an indirect transition for a 1. 50 eV activation energy. Measurements of the photoconduction spectral sensitivity are in good agreement with these results.

Résumé
Nous avons réalisé des couches minces du composé AlSb présentant des propriétés semiconductrices semblables à celles du matériau massif. La technique de préparation utilise l'évaporation simultanée des éléments constituants dans des proportions stoechiométriques. Pour des températures de recuit supérieures ou égales à 650 °C, seul le composé AlSb cristallise à partir des phases liquides des composants, alors qu'il est accompagné d'une phase antimoine résiduelle pour des recuits effectués entre 520 et 650 °C. Les couches sont toutes de type p et leur conductibilité varie entre 0,05 et 0,5 Ω-1 cm-1 à 250 °C. L'étude de la transmission (I. R. et visible) et de la réflexion optique de ces couches conduit à une largeur de bande interdite optique de 1,90 eV associée à une transition indirecte nécessitant une énergie d'activation de 1,50 eV. Ces résultats sont confirmés par la variation spectrale de la photoconductibilité.

PACS
7361E - III-V semiconductors.
8115K - Vapor phase epitaxy; growth from vapor phase.

Key words
Thin films -- Vapor deposition -- Operating mode -- Electrical conductivity -- Hall effect -- Reflection spectrum -- Energy gap -- Activation energy -- Aluminium antimonides -- Semiconductor materials -- Experimental study