Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 1, Numéro 3, septembre 1966
Page(s) 221 - 227
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0196600103022101
Rev. Phys. Appl. (Paris) 1, 221-227 (1966)
DOI: 10.1051/rphysap:0196600103022101

The effects of electron and proton irradiation on thin film solar cells

Joseph J. Loferski

Division of Engineering Brown University, Providence, R. I., U. S. A.


Abstract
The reasons for interest in irradiation effects on solar cells are reviewed. It is shown that studies of these effects (a) permit estimates of the useful life of solar cells in space radiation fields, (b) provide information about the nature of the photovoltaic effect in specific kinds of cells and (c) can lead to fundamental information about radiation effects in the parent material. Studies of radiation damage in GaAs, CdS and CdTe are reviewed. Published data on damage to thin film cells is also reviewed. According to the literature, only protons have been shown to produce damage in the cells. This observation is shown to be in rough agreement with radiation damage theory.


Résumé
On passe en revue les raisons de l'intérêt porté aux effets de l'irradiation sur les cellules solaires. L'étude de ces effets : a) permet d'estimer la durée de vie utile des cellules dans les champs de radiation spatiaux, b) renseigne sur la nature de l'effet photovoltaïque dans chaque espèce de cellule, et c) peut fournir des données fondamentales sur l'effet de l'irradiation sur le matériau constituant. On indique les détériorations par les radiations dans GaAs, CdS et CdTe, ainsi que les renseignements publiés sur la détérioration par les radiations des cellules à couches minces. D'après les publications, seuls les protons agissent pour détériorer les cellules. Cette observation concorde, en gros, avec la théorie de la détérioration par les radiations.

PACS
8460J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.

Key words
Solar cells -- Photovoltaic cells -- Radiation effect -- Electron beams -- Proton beams -- Lifetime -- Damage -- Thin film devices -- Silicon -- Gallium arsenides -- Cadmium tellurides -- Cadmium sulfide -- Semiconductor materials -- Experimental study