Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 4, Numéro 2, juin 1969
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Page(s) | 275 - 277 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:0196900402027500 |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 4, 275-277 (1969)
DOI: 10.1051/rphysap:0196900402027500
Centre de Recherches Nucléaires, Strasbourg-Cronenbourg
2940P - Semiconductor detectors.
6180M - Channelling, blocking and energy loss of particles.
7420 - Particle and radiation detection and measurement.
Key words
radiation effects -- semiconductor counters
DOI: 10.1051/rphysap:0196900402027500
Influence des collisions nucléaires sur la linéarite des détecteurs à semiconducteurs
P. Siffert, G. Forcinal et A. CocheCentre de Recherches Nucléaires, Strasbourg-Cronenbourg
Abstract
The pulse height defect due to nuclear collisions is measured for 4He, N, Ne ions (30-150 keV) impinging on a gold-silicon surface barrier detector. The results are compared with Lindhard's theory and are in good agreement.
Résumé
On a déterminé le défaut de hauteur d'impulsion dans les diodes à barrière de surface bombardées par des ions He+, N+ et Ne + d'énergies comprises entre 30 et 150 keV. L'influence des collisions nucléaires et de la canalisation des ions est plus spécialement analysée.
2940P - Semiconductor detectors.
6180M - Channelling, blocking and energy loss of particles.
7420 - Particle and radiation detection and measurement.
Key words
radiation effects -- semiconductor counters