Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 135-139 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202013500

Te Inclusions in CdTe grown from a slowly cooled Te solution and by the travelling solvent method

R.J. Dinger et I.L. Fowler

Chalk River Nuclear Laboratories Atomic Energy of Canada Limited, Chalk River, Ontario, Canada KOJ 1JO

Abstract
CdTe crystals have been grown from a slowly cooled Te solution and with the travelling solvent method. The density of visible Te inclusions in the crystals has been investigated and it was found that inclusion-free material can be grown if the growing speed and the temperature gradient in the melt are kept within certain limits.

Résumé
On décrit la croissance de cristaux de tellurure de cadmium en solvant tellure et par la méthode « THM ». La densité des inclusions de tellure dans les cristaux a été étudiée ; on a pu montrer que dans une certaine gamme de vitesses de croissance et de gradients de température, il est possible d'obtenir des cristaux dépourvus d'inclusions de tellure.

PACS
6170 - Defects in crystals.
8110F - Crystal growth from melt.
0510 - Crystal growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
cadmium compounds -- crystal growth from melt -- crystal inclusions -- semiconductor growth -- slowly cooled Te solution -- travelling solvent method -- growing speed -- melt temperature gradient -- CdTe crystal growth -- II VI semiconductors -- visible Te inclusion density