Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 629-632 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012062900

Internal quantum efficiency of back illuminated n+ pp + solar cells

A. Luque, J. Eguren et J. Del Alamo

Laboratorio de Semiconductores, Escuela Superior de Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, Madrid-3, Spain

Abstract
A theoretical analysis of the Internal Quantum Efficiency (I.Q.E.), taking into account the generation in the p+ layer of the back illuminated n+ pp+ solar cells has been carried out, and compared to that of the structure illuminated in the conventional way. Experimental cells have been made both by ion implantation and by alloying Al-Si to form the p+ layer. Very thin cells, here reported, present excellent values up to 90 % for the back illuminated to front illuminated I.Q.E. ratio.

Résumé
Une analyse théorique de l'efficience quantique interne (I.Q.E.), prenant en considération la génération à la couche p+ quand on illumine de ce côté la cellule solaire n+ pp+, a été effectuée et le résultat comparé avec cette structure illuminée de façon conventionnelle. Dans certaines cellules expérimentales cette couche p+ a été faite par implantation ionique et par aléation Al-Si. Les cellules très minces, présentées ici, offrent d'excellentes valeurs, plus de 90 %, de la relation des efficiences quantiques internes illuminant la couche p+ et la n+.

PACS
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
8630J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
8420 - Solar cells and arrays.

Key words
elemental semiconductors -- p n homojunctions -- silicon -- solar cells -- ion implantation -- Si n sup + pp sup + solar cells -- internal quantum efficiency -- back illumination -- semiconductor device