Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 767-770 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012076700

The characterisation of metal-thin insulator-n-p+ silicon switching devices

J. Buxo, A.E. Owen, G. Sarrabayrouse et J.P. Sebaa

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C.N.R.S., 7, avenue du Colonel-Roche, 31400 Toulouse, France

Abstract
Experiments are reported on the switching characteristics of MISS devices incorporating a thin (< 50 Å) oxide layer, including the influence of a modulating base current, the effect of temperature and the dynamic performance. A quantitative analysis of a regenerative model of switching is briefly described and shown to give a good account of the experimental results.

Résumé
Les auteurs présentent des résultats expérimentaux sur les caractéristiques de commutation des dispositifs MISS comportant une couche mince d'oxyde (< 50 Å) ; les résultats portent notamment sur les effets thermiques, la modulation apportée par un courant de base et enfin les effets dynamiques. L'analyse physique est conduite à l'aide d'un modèle à contre réaction dont les éléments sont décrits. Un bon accord théorie-expérience est obtenu.

PACS
2530F - Metal insulator semiconductor structures.
2560S - Other field effect devices.

Key words
metal insulator semiconductor devices -- semiconductor switches -- switching characteristics -- modulating base current -- regenerative model -- metal insulator n p sup + Si devices -- semiconductor device