Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 579-584 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001503057900

Relation entre les propriétés chimique, cristallographique et électronique de films de sulfure de cadmium préparés par pulvérisation réactive

F. Dutault et J. Lahaye

Centre de Recherches sur la Physico-Chimie des Surfaces Solides, C.N.R.S. 24, avenue du Président-Kennedy, 68200 Mulhouse, France

Abstract
Films of cadmium sulfide were prepared by spray of aqueous solution of cadmium chloride and thiourea. Influences of preparation and post-treatment temperatures on chloride contents, crystalline organization and resistivity of films are described.

Résumé
Des films de sulfure de cadmium ont été préparés par pulvérisation réactive de chlorure de cadmium et de thiourée. Les auteurs décrivent l'influence du recuit sur la teneur en chlore et l'organisation cristalline du matériau en fonction de sa température de préparation. Ils établissent une corrélation entre ces deux transformations et la résistivité du film dont l'évolution est étudiée en fonction des températures de préparation et de recuit.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7220F - Low field transport and mobility: piezoresistance semiconductors/insulators.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
8115 - Methods of thin film deposition.
0520 - Thin film growth and epitaxy.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
cadmium compounds -- electronic conduction in crystalline semiconductor thin films -- II VI semiconductors -- semiconductor thin films -- spray coatings -- electronic properties -- CdS films -- reactive pulverisation -- thiourea -- crystalline organization -- resistivity -- CdCl -- chemical properties -- preparation temperature