Rev. Phys. Appl. (Paris) 18, 683-689 (1983)
DOI: 10.1051/rphysap:019830018011068300

Etude hydrostatique d'un système de croissance de ruban de silicium

M. Hamidi

Equipe de Technologie de la Croissance Cristalline, C.N.R.S., 1, place A. Briand, 92195 Meudon Cedex, France

Abstract
In the development of the silicon ribbon pulling method from a turning cylinder, the equilibrium shape of the melted floating zone has been investigated in relation with the geometric characteristics of the pulled ribbon. The right position and the thickness of the ribbon have been determined versus different parameters of the system. We have studied the stability of the growth of a ribbon with constant thickness ; we show that after slight perturbations, the system tends to move toward a new equilibrium state.

Résumé
A partir de la détermination de la forme de la zone liquide les possibilités du procédé de tirage du ruban à partir d'un cylindre en rotation ont été étudiées. Nous avons établi les relations qui existent entre les différents paramètres du système et l'épaisseur du ruban tiré. La stabilité du régime permanent de croissance a été étudiée et nous avons montré qu'après une perturbation quelconque, pouvait exister une évolution dans un sens tendant à ramener le système vers un nouvel état d'équilibre.

PACS
8110F - Crystal growth from melt.
8110H - Zone melting and zone refining.
0510 - Crystal growth.
2520C - Elemental semiconductors.

Key words
crystal growth from melt -- elemental semiconductors -- semiconductor growth -- silicon -- zone melting -- Si ribbon pulling method -- ribbon growth system -- turning cylinder -- equilibrium shape -- melted floating zone -- geometric characteristics