Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 18, Numéro 11, novembre 1983
Page(s) 691 - 694
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019830018011069100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 18, 691-694 (1983)
DOI: 10.1051/rphysap:019830018011069100

Polyacetylene thin film photovoltaic devices

M. Cadene1, M. Rolland1 et M. J. M. Abadie2

1  Groupe de Dynamique des Phases Condensées, USTL, place E. Bataillon, 34060 Montpellier Cedex, France
2  Laboratoire de Chimie Macromoléculaire, USTL, place E. Bataillon, 34060 Montpellier Cedex, France


Abstract
Photovoltaic devices have been obtained by a direct polymerization of undoped (or p-type doped) thin film (CH)x layer onto a polycrystalline cadmium sulfide film. The morphology of the contact is observed by S.E.M. microscopy. The electrical characteristics of this device are studied in the dark or under illumination. The main result, at AM1, 100 mW/cm2 with doped (CH)x correspond to 0.5 percent efficiency.


Résumé
Des dispositifs photovoltaïques ont été fabriqués par polymérisation directe de films minces de polyacétylène dopé ou non dopé sur une lame mince polycristalline de CdS déposée sur verre conducteur. La morphologie du contact est déterminée par microscopie à balayage. Les caractéristiques électriques ont été obtenues à l'obscurité et sous éclairement. Dans des conditions standard (AM1, 100 mW/cm2), les hétérojonctions entièrement couches minces à base de (CH) x dopé atteignent un rendement de 0,5 %.

PACS
8630J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
4250 - Photoelectric devices.
8420 - Solar cells and arrays.

Key words
cadmium compounds -- II VI semiconductors -- organic compounds -- photovoltaic cells -- polymerisation -- scanning electron microscope examination of materials -- solar cells -- CdS polyacetylene junction -- contact morphology -- solar photovoltaic efficiency -- photocurrent photovoltage characteristics -- thin film photovoltaic devices -- direct polymerization -- SEM microscopy -- electrical characteristics -- AM