Rev. Phys. Appl. (Paris) 19, 593-600 (1984)
DOI: 10.1051/rphysap:01984001908059300

Diagnostics spectroscopiques pour la caractérisation de semiconducteurs

A. Goltzéne, B. Prévot et C. Schwab

Laboratoire de Spectroscopie et d'Optique du Corps Solide , Université Louis Pasteur, 5, rue de l'Université, 67000 Strasbourg, France

Abstract
Restricting the problem of the physico-chemical characterization of a semiconductor to the main topics of localized defects and lattice perfection, several diagnostic possibilities of the two spectroscopic techniques of electron paramagnetic resonance and spontaneous Raman scattering are shown. Both methods are exemplified by some typical needs of crystal grower and user as they may typically be expressed for industry oriented materials.

Résumé
Résumant le problème de la caractérisation physico-chimique d'un semiconducteur aux deux aspects essentiels des défauts localisés et de la perfection cristalline, nous présentons diverses possibilités de diagnostics réservées par les deux techniques spectroscopiques que sont la résonance paramagnétique électronique et la diffusion Raman spontanée. Nous en donnons une illustration en relation avec certains besoins en amont dans le domaine de l'élaboration et en aval dans celui de l'utilisation, tels qu'ils peuvent apparaître avec des matériaux semiconducteurs à finalité industrielle.

PACS
6170 - Defects in crystals.
7630D - EPR of ions and impurities: general.
7630M - EPR of colour centres and other defects.
7830G - Infrared and Raman spectra in inorganic crystals.

Key words
crystal defects -- paramagnetic resonance of defects -- paramagnetic resonance of ions and impurities -- Raman spectra of inorganic solids -- semiconductors -- physicochemical characterisation -- spectroscopic diagnostics -- semiconductor characterisation -- localized defects -- lattice perfection -- electron paramagnetic resonance -- spontaneous Raman scattering