Rev. Phys. Appl. (Paris) 20, 569-574 (1985)
DOI: 10.1051/rphysap:01985002008056900

Metal organics vapour phase epitaxy of GaAs : Raman studies of complexes formation

A. Tromson Carli¹, P. Gibart¹, R. Druilhe¹, Y. Monteil², J. Bouix² et B. El Jani<sup>1

1</sup>  Laboratoire de Physique du Solide et Energie Solaire, CNRS - Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, France
²  Université Claude Bernard, Laboratoire de Physicochimie Minérale, 69522 Villeurbanne, France

Abstract
The use of trimethylarsenic(TMAs) in place of arsine in metal organics vapour phase epitaxy (MOVPE) of GaAs gives samples with high residual doping (˜ 1017 cm-3). Raman spectroscopy shows that a rather stable solid is formed between trimethylgallium (TMG) and AsH3, whereas no adduct is formed between TMG and TMAs. This feature could explain the high density of residual carbon when using TMAs in MOVPE of GaAs.

Résumé
Le remplacement de l'arsine par le triméthylarsenic (TMAs) lors de l'épitaxie en phase vapeur à partir d'organométalliques (EPVOM) de GaAs conduit à des matériaux ayant un résiduel élevé (˜ 1017 cm-3). La spectroscopie Raman montre qu'il se forme un solide relativement stable entre le triméthylgallium (TMG) et l'arsine, alors qu'il ne s'en forme pas entre TMG et TMAs. Ce fait pourrait expliquer l'incorporation élevée de carbone lors de l'EPVOM de GaAs en utilisant TMAs.

PACS
6170T - Doping and implantation of impurities.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7830G - Infrared and Raman spectra in inorganic crystals.
7865J - Optical properties of nonmetallic thin films.
8115H - Chemical vapour deposition.
0510D - Epitaxial growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.
2550B - Semiconductor doping.

Key words
gallium arsenide -- III V semiconductors -- Raman spectra of inorganic solids -- semiconductor doping -- semiconductor growth -- vapour phase epitaxial growth -- vapour phase epitaxy -- GaAs -- Raman studies -- complexes formation -- trimethylarsenic -- metal organics -- residual doping