Rev. Phys. Appl. (Paris) 20, 575-581 (1985)
DOI: 10.1051/rphysap:01985002008057500

Le transistor-thyristor métal-oxyde-semiconducteur (T2 MOS)

H. Tranduc, P. Rossel, M. Gharbi, J.L. Sanchez et G. Charitat

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du Centre National de la Recherche Scientifique, 7, avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France

Abstract
A new MOS gate-controlled planar device is proposed. It's electrical characteristics could be either : i) MOS transistor like, ii) MOS thyristor like or iii) a combination of the two previous devices. This device is called the « MOS transistor-thyristor » (T2 MOS). The electrical characteristics measured on a small-size prototype are presented. Different geometrical and technological configurations for this kind of device are also suggested and the various areas for possible applications are discussed.

Résumé
On présente un nouveau composant planar contrôlé par un effet « Métal-Oxyde-Semiconducteur », dont les caractéristiques électriques peuvent être : i) de type transistor MOS, ii) de type thyristor MOS ou bien iii) être la combinaison des deux précédentes. On l'appelle le « transistor-thyristor MOS » ou T2 MOS. Un exemple de réalisation technologique est décrit et les caractéristiques électriques sont présentées. Des variantes de configurations par rapport à la géométrie de ce prototype sont suggérées. Des utilisations possibles de ces structures sont évoquées.

PACS
2560B - Semiconductor device modelling and equivalent circuits.
2560L - Thyristors and silicon controlled rectifiers.
2560R - Insulated gate field effect transistors.

Key words
insulated gate field effect transistors -- metal insulator semiconductor devices -- semiconductor device models -- thyristors -- MOS transistor thyristor -- CMOS gate controlled -- planar device -- characteristics -- T sup 2 MOS -- electrical characteristics -- geometrical -- technological