Rev. Phys. Appl. (Paris) 25, 339-346 (1990)
DOI: 10.1051/rphysap:01990002504033900

Réalisation et caractérisation de couches minces de dichalcogénure de molybdène

J.C. Bernede¹, N. Manai¹, M. Kettaf¹, M. Spiesser² et G. Goureaux<sup>1

1</sup>  Laboratoire de Physique des Matériaux et Composants de l'Electronique, Faculté des Sciences et des Techniques de Nantes, 2 rue de la Houssinière, 44072 Nantes, France
²  Laboratoire de Physique Cristalline UM CNRS 110, IPCM, 2 rue de la Houssinière, 44072 Nantes, France

Abstract
The influence of sputtering and annealing on the properties of MoTe 2 films was investigated by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, electron microprobe analysis, electron spectroscopy (X.P.S.), X ray analysis and optical absorption. It was found that stoichiometric thin films are obtained after appropriate annealing. The c-axis of the crystallites is perpendicular to the plane of the substrate. The optical gap (0.9 eV ≤ E0 ≤0.93 eV) was determined to be almost equal to that of MoTe2 single crystal. The chemical shifts of the X.P.S. lines were found to be in good agreement with those of a single crystal reference.

Résumé
L'influence des conditions de pulvérisation et des traitements thermiques ultérieurs sur les propriétés structurales de couches minces de MoTe 2 a été étudiée par microscopie électronique à balayage et à transmission, microsonde électronique, spectroscopie d'électrons (X.P.S.), analyse aux rayons X et absorption optique. On montre que des couches stoechiométriques peuvent être obtenues après un traitement thermique adéquat. L'axe c des cristallites de MoTe2 est perpendiculaire au plan du substrat. La largeur de bande interdite (0,9 eV ≤ E0 ≤ 0,93 eV ) déterminée par absorption optique est proche de celle admise pour les monocristaux. Les énergies de liaisons des raies X.P.S. sont en bon accord avec celles des monocristaux de référence.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
8115C - Deposition by sputtering.
7865J - Optical properties of nonmetallic thin films.
6480E - Stoichiometry and homogeneity.
7820D - Optical constants and parameters condensed matter.
7960E - Photoelectron spectra of semiconductors and insulators.

Key words
annealing -- electron probe analysis -- energy gap -- light absorption -- molybdenum compounds -- optical constants -- scanning electron microscope examination of materials -- semiconductor materials -- semiconductor thin films -- sputter deposition -- stoichiometry -- transmission electron microscope examination of materials -- X ray photoelectron spectra -- XPS -- characterisation -- chalcogenide thin films -- sputtering -- scanning electron microscopy -- transmission electron microscopy -- electron microprobe analysis -- electron spectroscopy -- X ray analysis -- optical absorption -- stoichiometric thin films -- c axis -- crystallites -- optical gap -- chemical shifts -- MoTe sub 2 films