Une étude expérimentale et théorique du comportement en fluage biaxial de l'aluminium A5 (99,5 % en poids) aux températures intermédiaires (300 °C à 450 °C) p. 1 C. Lexcellent and J. Birocheau DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019890024010100 PDF (1.126 MB)References
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Tunnel résonnant et effets d'électrons chauds dans les structures à double barrière : synthèse p. 17 D. Lippens, L. De Saint Pol, R. Bouregba, P. Mounaix and T. Vinchon DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240101700 PDF (2.053 MB)References
Caractérisation par magnétotransport d'une couche électronique bidimensionnelle dans une structure GaAs à dopage Si dans un plan (100) p. 31 A. Zrenner, F. Koch, J. Galibert, M. Goiran, J. Leotin, K. Ploog and G. Weimann DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240103100 PDF (682.4 KB)References
Non-linéarités d'absorption intrabande dans les puits quantiques GaAs-AlxGa1-xAs p. 37 F.H. Julien, J.-M. Lourtioz, N. Herschkorn, D. Delacourt, J.P. Pocholle, M. Papuchon, R. Planel and G. Le Roux DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240103700 PDF (1014 KB)References
Etude de diodes Schottky réalisées sous ultra-vide par dépôt d'aluminium ou d'argent sur GaP type N clivé p. 45 M. Benkacem, M. Dumas, J.M. Palau and L. Lassabatère DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240104500 PDF (977.8 KB)References
Comment réaliser des TEC AsGa de transconductance supérieure à 700 mS/mm et à fréquence de coupure élevée p. 51 J. Vanbremeersch, P. Godts, E. Constant and G. Dambrine DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240105100 PDF (858.5 KB)References
Mécanismes de dérive du courant d'obscurité sur des photodiodes GaInAs/InP planar passivées par SiNx p. 57 F. Ducroquet, G. Guillot, A. Nouailhat and J.C. Renaud DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240105700 PDF (957.6 KB)References
Dimensionnement et performances potentielles des MISFET à hétérojonction p. 65 P. Dollfus, M. Mouis and R. Castagné DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240106500 PDF (756.3 KB)References
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