Rev. Phys. Appl. (Paris) 1, 217-221 (1966)
DOI: 10.1051/rphysap:0196600103021700

Optical absorption, photoconductivity and p-n junctions in cadmium telluride

B.M. Vul, V.S. Vavilov, A.F. Plotnikov, A.A. Sokolova et V.A. Chapnin

P. N. Lebedev Institute of Physics, Academy of Sciences, Moscow, USSR

Abstract
The analysis of the experimental data on optical absorption, reflection and photoconductivity of cadmium telluride indicates a considerable contribution of exciton absorption and the process of exciton diffusion from the surface region into the volume with subsequent dissociation. The lifetimes of excess carriers are of the order of 10-8 - 10-9 s both at weak and intensive excitation. The data on p-n junctions in CdTe are presented.

Résumé
L'analyse des données expérimentales sur l'absorption optique, la réflexion et la photoconductivité du tellurure de cadmium indique une contribution considérable de l'absorption par exciton et du processus de la diffusion des excitons de la région superficielle dans le volume, suivie d'une dissociation. Les durées de vie des porteurs en excès sont de l'ordre de 10-8 à 10-9 s, aussi bien à faible qu'a forte excitation. On fournit des données sur les jonctions p-n dans CdTe.

PACS
7820 - Optical properties of bulk materials and thin films.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects.

Key words
Absorption spectra -- Reflection spectrum -- Photoconductivity -- Excitons -- Carrier lifetime -- p n junctions -- Cadmium tellurides -- Semiconductor materials -- Experimental study