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Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 3, Numéro 1, mars 1968
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| Page(s) | 78 - 82 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:019680030107800 | |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 3, 78-82 (1968)
DOI: 10.1051/rphysap:019680030107800
Laboratoire de Luminescence, Faculté des Sciences, 86-Poitiers
7866N - Insulators.
7350D - Low-field transport and mobility; piezoresistance.
Key words
Cathode sputtering -- Reactive sputtering -- Thin films -- Adhesion -- Absorption spectrum -- Electrical conductivity -- Absorption edge -- Heat treatments -- Fabrication property relation -- Substrates -- Tin oxides -- Experimental study
DOI: 10.1051/rphysap:019680030107800
Transmission optique et résistance électrique de couches minces de SnO2 préparées par pulvérisation cathodique réactive
J. Baillou, P. Bugnet, J. Deforges, S. Durand et G. BataillerLaboratoire de Luminescence, Faculté des Sciences, 86-Poitiers
Abstract
Conductor and transparent thin films of SnO2 have been prepared by reactive sputtering. These highly adhesive films have an average transmission factor of 90 % in the visible spectrum, and a constant resistance between - 180 °C and + 200 °C.
Résumé
Nous avons préparé par pulvérisation cathodique réactive des couches minces de SnO2, conductrices et transparentes. Ces couches très adhérentes présentent un coefficient de transmission moyen de 90 % dans le spectre visible, et ont une résistance constante entre - 180 °C et + 200 °C.
7866N - Insulators.
7350D - Low-field transport and mobility; piezoresistance.
Key words
Cathode sputtering -- Reactive sputtering -- Thin films -- Adhesion -- Absorption spectrum -- Electrical conductivity -- Absorption edge -- Heat treatments -- Fabrication property relation -- Substrates -- Tin oxides -- Experimental study