Rev. Phys. Appl. (Paris) 3, 307-310 (1968)
DOI: 10.1051/rphysap:0196800304030700

Microscopie électronique à haute tension

B. Jouffrey

Laboratoire de Physique des Solides associé au C.N.R.S., Faculté des Sciences, 9I-Orsay

Abstract
The author recalls briefly the principle of transmission electron microscopy. He tries to define some domains which could be studied by mean of the high voltage technique. He thinks that two questions have priority for study : contrasts and point defects behaviour. One question is to know if it is possible to observe point defects clusters created by high energy electrons if the energy is high enough.

Résumé
L'auteur, après avoir rappelé brièvement le principe d'un microscope électronique par transmission, essaie de dégager quelques domaines d'application que la microscopie électronique à haute tension permettrait d'étudier efficacement. Il semble que deux questions sont à résoudre en priorité : l'étude des contrastes et celle des défauts ponctuels qui doivent être créés si la tension est assez élevée.

PACS
6172 - Defects and impurities in crystals; microstructure.
0778 - Electron, positron, and ion microscopes; electron diffractometers.

Key words
High-voltage electron microscopy -- Operation -- Application -- Dislocation structure -- Microstructure -- Precipitation -- Image contrast -- Point defects -- Experimental study