Dispositif utilisant la transmission hyperfréquence pour mesurer la durée de vie des porteurs injectés dans un échantillon semi-conducteur à basse température. Application à la diode pin p. 1 M. Brousseau, J. Barrau et J.C. Brabant DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01971006010100 RésuméPDF (625.4 KB)Références
Contrôle du dopage dans la croissance épitaxiale d'arséniure de gallium p. 5 A. Boucher, J.P. Chané et E. Fabre DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01971006010500 RésuméPDF (798.2 KB)Références
Dislocations et fautes d'empilement par microscopie ionique à champ p. 11 J. Gallot et D.A. Smith DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019710060101100 RésuméPDF (1.534 MB)Références
Une méthode impulsionnelle de mesure de la durée de vie des porteurs injectés dans la zone centrale d'une structure pin p. 19 J. Barrau, L. Bailon, J.-C. Brabant et M. Brousseau DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019710060101900 RésuméPDF (573.4 KB)Références
Étude des fluctuations de fréquence de lasers monomodes p. 23 E. Boileau, J.-M. Battifol, H. Clergeot et B. Picjnbono DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019710060102300 RésuméPDF (1.229 MB)Références
Analyse des expériences de génération de second harmonique p. 31 D. Chemla et P. Kupecek DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019710060103100 RésuméPDF (2.599 MB)Références
Influence de la longueur des fentes sur la résolution des spectromètres électrostatiques cylindrique et plan p. 51 D. Roy, M. De Celles et J.-D. Carette DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019710060105100 RésuméPDF (682.9 KB)Références
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Spectromètre pour la polarisation dynamique des protons dans un champ de 50 kilogauss p. 59 M. Odehnal, P. Néel, V. Bouffard et Cl. Pasquette DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019710060105900 RésuméPDF (775.1 KB)Références
Étude des aberrations du second ordre du microanalyseur ionique et de quelques autres systèmes destinés au filtrage d'images étendues p. 65 M. Leleyter et G. Slodzian DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019710060106500 RésuméPDF (3.290 MB)Références
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Étude et réalisation d'un amplificateur galvanométrique linéaire ou intégrateur de performances élevées p. 95 R. Vergne et J.L. Porteseil DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019710060109500 RésuméPDF (1.499 MB)Références