Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 123-128 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202012300

CdTe And CdTe : Hg alloys crystal growth using stoichiometric and off-stoichiometric zone passing techniques

R. Triboulet

Laboratoire de Physique des Solides, C. N. R. S., 1, place A.-Briand, 92190 Meudon/Bellevue, France

Abstract
Some aspects of the thermodynamic state of CdTe crystals grown by different zone passing techniques (sealed ingot zone refining technique and THM in tellurium solvent) are considered with regard to the general objective of getting high resistivity crystals. A vapour growth technique, called sublimation THM, which reduces several drawbacks of classical THM using a tellurium solvent, is developed. The growth of semi-insulating Cd0, 9Hg0, 1Te crystals, with the aim of increasing the average atomic number of the material, is presented.

Résumé
En vue de la croissance de cristaux de CdTe de haute résistivité, on étudie l'état thermodynamique de matériaux préparés par différentes méthodes de fusion de zone (fusion de zone en tube scellé, croissance en solvant tellure). De plus, on décrit une méthode, appelée Sublimation THM, qui permet de diminuer notablement les inconvénients liés à la croissance en solvant tellure (THM). Par ailleurs, afin d'augmenter le numéro atomique moyen des cristaux, on a réalisé des cristaux semi-isolants Cd0, 9Hg0, 1 Te.

PACS
8110B - Crystal growth from vapour.
8110F - Crystal growth from melt.
8110H - Zone melting and zone refining.
0510 - Crystal growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
cadmium compounds -- crystal growth from melt -- crystal growth from vapour -- II VI semiconductors -- mercury compounds -- semiconductor growth -- zone refining -- thermodynamic state -- CdTe crystals -- zone passing -- sealed ingot zone refining technique -- vapour growth technique -- Cd sub 0.9 Hg sub 0.1 Te crystals -- Te solvent -- melt growth -- sublimation travelling heater method -- II VI semiconductor