Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 609-613 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012060900

A model of the leakage current in n-channel silicon-on-sapphire most's

P. Gentil

Equipe Physique des composants à semiconducteurs , E.N.S.E.R. Grenoble, 23, avenue des Martyrs, 38031 Grenoble Cedex, France

Abstract
The existence of a direct drain to source leakage current is experimentally demonstrated on n-channel SOS MOS transistors. The measured currents are shown to vary according to a model of an inversion channel at the sapphire interface working in the weak inversion regime. A value of interface state density at the silicon sapphire interface of 1012 cm-2 eV-1 is determined by static I(V) measurement.

Résumé
On montre expérimentalement qu'il existe, sur les transistors MOS à canal n sur silicium sur isolant, un courant de fuite direct entre drain et source. On montre que le courant drain varie avec la polarisation du drain et de la couche de silicium comme le courant d'un canal à l'interface silicium saphir travaillant en régime d'inversion faible. Les mesures statiques I(V) permettent de déterminer une densité d'états à l'interface silicium-saphir de 1012 cm-2 eV-1.

PACS
2560B - Semiconductor device modelling and equivalent circuits.
2560R - Insulated gate field effect transistors.

Key words
insulated gate field effect transistors -- interface electron states -- leakage currents -- semiconductor device models -- direct drain -- source leakage current -- n channel SOS MOS transistors -- inversion channel -- weak inversion regime -- interface state density -- semiconductor device