Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 787-790 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012078700

Method of characterization of complex and degenerated epitaxial structures from analysis of magnetoresistance oscillations

R.L. Aulombard¹, C. Bousquet¹, C. Bernard-Merlet¹, A. Raymond¹, J.L. Robert¹, P. Rub² et C. Picoche<sup>2

1</sup>  Centre d'Etudes d'Electronique des Solides , Université des Sciences et Techniques du Languedoc, place Eugène-Bataillon, 34060 Montpellier Cedex, France
²  S.N.C.I., C.N.R.S., avenue des Martyrs, 38000 Grenoble, France

Abstract
Using a discrete Fourier transform on the magnetoresistance signal, obtained at low temperature we show that it is possible to determine easily and accuratly the carrier concentration of all complex and degenerated semiconductors. We give the example of gallium arsenide n+ n++ multilayers used in microwave devices. From measurements under hydrostatic pressure we show also that this method of characterization is consistent with the one previously given for simple structures (1).

Résumé
Nous montrons qu'à partir du traitement par transformée de Fourier discrète du signal de magnétorésistance obtenu à basse température, nous pouvons déterminer rapidement et précisément la concentration en porteurs de charge de toute structure complexe dégénérée pouvant être utilisée comme dispositif. Nous traitons ici le cas de multicouches n+ n++ d'arséniure de gallium utilisées dans les dispositifs hyperfréquences. Nous montrons également qu'à partir de mesures effectuées sous pression hydrostatique, cette méthode d'analyse peut être comparée à celle déjà proposée pour des structures simples (1).

PACS
7220F - Low field transport and mobility: piezoresistance semiconductors/insulators.
7220M - Galvanomagnetic and other magnetotransport effects semiconductors/insulators.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
carrier density -- Fourier transforms -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- magnetoresistance -- semiconductor epitaxial layers -- epitaxial structures -- magnetoresistance oscillations -- discrete Fourier transform -- carrier concentration -- microwave devices -- GaAs n sup + n sup 2+ multilayers -- complex semiconductors -- degenerate semiconductors