Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 825-828 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012082500

High-temperature hydrogen anneal of mnos structures

G. Schols, H. Maes, G. Declerck et R. van Overstraeten

Katholieke Universiteit Leuven, Departement Elektrotechniek, ESAT, Kardinaal Mercierlaan 94, B-3030 Heverlee, Belgium

Abstract
The effects on fast surface state density due to high-temperature hydrogen anneals through windows in the silicon nitride layer next to the active MNOS regions are presented. A marked geometry effect is observed as a result of the occurring lateral hydrogen diffusion mechanism. Besides this lateral diffusion process, a vertical hydrogen diffusion through the nitride layer is observed at temperatures above 850 °C.

Résumé
Cet article traite l'évolution de la densité d'états d'interface au cours de recuits à hautes températures en hydrogène par des fenêtres dans la couche de nitrure de silicium à proximité des régions MNOS actives. On observe une influence apparente de la géométrie des structures MNOS en conséquence du mécanisme de diffusion latérale de l'hydrogène. En dehors de cette diffusion latérale on observe également une diffusion verticale de l'hydrogène à travers la couche de nitrure à des températures au-delà de 850 °C.

PACS
6630J - Diffusion, migration, and displacement of impurities in solids.
7320 - Electronic surface states.
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
2530F - Metal insulator semiconductor structures.

Key words
annealing -- diffusion in solids -- metal insulator semiconductor structures -- semiconductor technology -- surface electron states -- MNOS structures -- fast surface state density -- lateral diffusion -- high temperature H anneal