Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 837-840 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012083700

A new experimental method for studying the capture process of hot electrons in SiO2

K. Erdelyi et P. Schvan

Industrial Research Institute for Electronics, P.O.B. 348, H-1392 Budapest, Hungary

Abstract
An experimental method using the constant electric field technique on gate-controlled diode structure is described. The Schottky emission process of hot electrons and their capture in SiO2 were investigated in relation with quantitative models. The density and the capture cross section of trapping centers in SiO2 were determined and were found to be in the range of 3 × 10 17-1018 cm-3 and 10-20-10-19 cm2 respectively.

Résumé
On décrit une méthode expérimentale utilisant une technique du champ électrique constant sur une diode contrôlée à grille. L'émission Schottky et le piégeage des électrons chauds dans SiO2 ont été étudiés suivant des modèles quantitatifs. La densité et la section efficace de capture des pièges dans SiO2 ont été déterminées et sont de l'ordre de 3 x 1017-10 18 cm-3 et 10-20-10-19 cm2 respectivement.

PACS
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
7360H - Electrical properties of insulators thin films/low dimensional structures.
2530F - Metal insulator semiconductor structures.

Key words
electron traps -- hot carriers -- Schottky effect -- semiconductor insulator boundaries -- silicon compounds -- capture process -- hot electrons -- SiO sub 2 -- Schottky emission -- trapping centers