Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 841-843 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012084100

The neutralization of Na+ ions in HCl grown SiO2

J.P. Stagg et M. R. Boudry

Philips Research Laboratories, Redhill, Surrey, England

Abstract
The kinetic behaviour of Na+ ions in (HCl) MOS capacitors has been studied by the method of thermally stimulated ionic currents (TSIC). Both charged and neutral trap states at the Si-SiO2 interface were identified. The dependence of the ion neutralization process on oxide chlorine content, and on the time and temperature of positive bias stress was investigated.

Résumé
Le courant ionique résultant d'une excitation thermique (la méthode « TSIC ») est utilisé pour étudier les propriétés dynamiques des ions Na+ dans un capaciteur MOS, oxydé avec un mélange O2/HCl. On trouve qu'un ion peut être pris au piège à l'interface Si-SiO2, soit dans un état chargé, soit dans un état neutre. Le processus de neutralisation est examiné selon la concentration de Cl dans l'oxyde, ainsi que la durée et la température sous une tension positive sur le métal.

PACS
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
2530F - Metal insulator semiconductor structures.

Key words
metal insulator semiconductor structures -- semiconductor insulator boundaries -- sodium -- thermally stimulated currents -- Na sup + ions -- thermally stimulated ionic currents -- trap states -- positive bias stress -- Si SiO sub 2 interface -- ion neutralisation -- HCl grown SiO sub 2 -- MOS capacitors -- HCl oxides