Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 911-919 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:019790014011091100

Influence de la contre-réaction thermique sur l'impédance de sortie des transistors MOS à canaux courts

P. Rossel, M. Gamboa, H. Tranduc et H. Martinot

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes, 7, avenue du Colonel-Roche, 31400 Toulouse, France

Abstract
The output admittance properties of the short channel MOS transistors, operating beyond pinch-off, are studied in the low frequency range. Both the signs and amplitudes of the real and imaginary parts of this admittance depend upon the bias condition. The properties of the complex diagram are accounted for by taking into account the internal feedback between the electrical mechanisms and the thermal phenomena. A theoretical expression of the admittance is derived and compared with the experimental results. A method for determining the thermal impedance and the equivalent circuit of the MOST is proposed.

Résumé
Les propriétés de l'admittance de sortie en régime de saturation des transistors MOS à canaux courts sont étudiées dans le domaine des basses fréquences. Les signes et les amplitudes des parties réelles et imaginaires de l'admittance dépendent des conditions de polarisation. Le diagramme complexe est interprété par l'association des mécanismes électriques et de l'effet de contre-réaction thermique. Une formulation théorique de cette admittance est proposée et comparée aux résultats expérimentaux. On en déduit une méthode de détermination de l'impédance thermique et du schéma équivalent électrique du transistor.

PACS
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
2560R - Insulated gate field effect transistors.

Key words
electric impedance -- feedback -- insulated gate field effect transistors -- short channel MOST -- impedance -- output admittance -- thermal impedance -- thermal feedback