Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 15, Numéro 3, mars 1980
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Page(s) | 611 - 629 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01980001503061100 |
DOI: 10.1051/rphysap:01980001503061100
Emploi de lasers dans la technologie des photopiles
J.C. Muller et P. SiffertCentre de Recherches Nucléaires, Groupe de Physique et Applications des Semiconducteurs (Phase), 67037 Strasbourg Cedex, France
Abstract
In this paper, the various possibilities existing for the use of high power density continuous or pulsed lasers in the technology of silicon solar cells are reviewed. First, the models developped for calculating the effects of the absorption of the high intensity light on silicon are considered. In a second part, the methods developped for manufacturing either self supporting films or deposited layers are described. Finally, three methods for preparing the rectifying junction are considered : activation of diffused dopants, conventional as well as simplified ion implantation, alloying films deposited on surface.
Résumé
Dans cet article on passe en revue les différentes applications des lasers de puissance continus ou impulsionnels dans la technologie des cellules solaires à base de silicium. On considère tout d'abord les différents modèles développés pour calculer les effets de ces flux lumineux intenses sur le silicium ; puis, on analyse les possibilités d'emploi de ces dispositifs pour préparer des films autosupportants ou des couches sur substrat. Finalement, trois méthodes de réalisation de la jonction sont décrites : activation de dopants diffusés, implantation ionique conventionnelle ou simplifiée et dépôt de films en surface.
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Key words
laser beam applications -- semiconductor doping -- semiconductor thin films -- silicon -- solar cells -- photopile technology -- pulsed lasers -- high intensity light -- self supporting films -- deposited layers -- rectifying junction -- diffused dopants -- ion implantation -- alloying films -- high power density continuous laser -- Si solar cells -- light absorption -- film deposition -- dopant activation -- elemental semiconductors