Rev. Phys. Appl. (Paris) 18, 475-478 (1983)
DOI: 10.1051/rphysap:01983001808047500

Nature of defects in heavily Te-doped GaAs

D.L. Williamson¹, M. Kowalchik¹, A. Rocher² et P. Gibart<sup>3

1</sup>  SERI, 1617 Cole blvd., Golden, Colorado 80401, USA
²  Laboratoire d'Optique Electronique du CNRS, 29, rue Jeanne Marvig, 31400 Toulouse, France
³  Laboratoire Physique du Solide et Energie Solaire, CNRS, Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, France

Abstract
Heavily Te-doped GaAs has been studied by 125Te Mössbauer spectroscopy and transmission electron microscopy (TEM). It is shown that for ND-N A > 1019 cm-3, microprecipitates are observed along dislocations loops on TEM micrographs whereas a quadrupole split second site appears in Mössbauer spectra. Both features are consistent with the existence of microprecipitates of gallium telluride, probably Ga2Te3.

Résumé
GaAs fortement dopé en tellure a été étudié par spectroscopie Mössbauer sur 125Te et par microscopie électronique en transmission (TEM). Pour ND-NA > 1019 cm-3 , des microprécipités apparaissent le long des boucles de dislocations sur les microphotographies, tandis qu'un second site Te présentant un couplage quadrupolaire apparait dans les spectres Mössbauer. Ces deux faits peuvent s'expliquer par l'existence de microprécipités de tellurure de gallium, probablement Ga2Te 3.

PACS
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
6475 - Solubility, segregation, and mixing.
7680 - Mossbauer effect: other gamma ray spectroscopy in condensed matter.

Key words
crystal hyperfine field interactions -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- Mossbauer effect -- precipitation -- tellurium -- transmission electron microscope examination of materials -- GaAs:Te -- heavily doped semiconductors -- sup 125 Te Mossbauer spectroscopy -- transmission electron microscopy -- microprecipitates -- dislocation loops -- TEM micrographs -- Ga sub 2 Te sub 3