Rev. Phys. Appl. (Paris) 18, 745-749 (1983)
DOI: 10.1051/rphysap:019830018012074500

Passivation de l'InP par oxydation en plasma RF oxygène et par action de HNO3 vapeur

C. Michel, B. Lepley, B. Bouchikhi et S. Ravelet

Laboratoire d'Electronique et de Physique des Interfaces, I.S.I.N., 54500 Vandoeuvre, France

Abstract
Thin native oxides have been grown on (100) (n) InP in an O2 RF plasma and in HNO3 gas at different temperatures up to 200°C. Oxides properties have been studied by ellipsometry and by electrical characterization (capacitance-voltage at 1 MHz and current-voltage) of the metal-oxide-InP structures. Oxide thicknesses get to 260 Å with a refractive index near 2 and a dielectric constant varying from 4 to 8.

Résumé
Des oxydes natifs minces ont été élaborés sur la face (100) de (n) InP dans un plasma RF oxygène et dans HNO3 vapeur à des températures allant jusqu'à 200°C. Les propriétés de ces oxydes ont été étudiées par ellipsométrie et par les méthodes électriques (capacité-tension à 1 MHz et courant-tension) sur les structures métal-oxyde-InP. Les épaisseurs d'oxyde atteignent 260 Å avec un indice de réfraction voisin de 2 et une constante diélectrique variant de 4 à 8.

PACS
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
8160C - Surface treatment and degradation in semiconductor technology.
2520D - II VI and III V semiconductors.
2530F - Metal insulator semiconductor structures.
2550E - Surface treatment semiconductor technology.

Key words
III V semiconductors -- indium compounds -- metal insulator semiconductor structures -- oxidation -- passivation -- semiconductor technology -- semiconductor -- MIS -- native oxides -- InP -- O sub 2 RF plasma -- HNO sub 3 gas -- ellipsometry -- electrical characterization -- refractive index -- dielectric constant