Rev. Phys. Appl. (Paris) 19, 319-323 (1984)
DOI: 10.1051/rphysap:01984001904031900

Recuit pulsé de semiconducteurs par hyperfréquences. Etude de la répartition de la puissance dans l'échantillon

H. Jaouen, P. Chenevier, G. Kamarinos et G. Pananakakis

Laboratoire de Physique des Composants à Semiconducteurs , ENSERG, 23, rue des Martyrs, 38031 Grenoble Cedex, France

Abstract
In recent previous papers we have shown the possibility to anneal implanted monocrystalline as well as polycrystalline silicon by using pulsed microwave energy. For high resistivity samples a simultaneous illumination of the treated surface is needed A detailed computer simulation shows that using a special experimental bench almost the total power delivered by the microwave generator is absorbed into the silicon for a very large range of temperature. Besides, the adjustement stability of the apparatus as well as the annealing homogeneity have been examined.

Résumé
Les auteurs ont montré récemment la possibilité de recuire par énergie micro-onde pulsée aussi bien du silicium implanté que des couches de silicium polycristallin. Pour des échantillons de haute résistivité il s'est avéré nécessaire d'éclairer simultanément les surfaces traitées en lumière visible. Une simulation détaillée sur calculateur montre qu'en utilisant un appareillage expérimental spécial on obtient une forte absorption de la puissance délivrée par le générateur hyperfréquence sur une large gamme de températures de l'échantillon. Par ailleurs, la stabilité de réglage du montage, ainsi que l'homogénéité du recuit ont été examinées.

PACS
7870G - Microwave and radiofrequency interactions with condensed matter.

Key words
annealing -- digital simulation -- elemental semiconductors -- semiconductors -- silicon -- power distribution -- pulsed microwave energy -- high resistivity samples -- simultaneous illumination -- treated surface -- computer simulation -- annealing homogeneity