Rev. Phys. Appl. (Paris) 19, 941-943 (1984)
DOI: 10.1051/rphysap:019840019011094100

Defect creation and development at the polysilicon-silicon interface during a cold technology simulation

C. Jourdan, J. Gastaldi et M. Bienfait

Campus de Luminy, 13288 Marseille Cedex, France

Abstract
A simulation of a cold technology (< 950 °C) has been analysed by X-ray topography at different stages of its elaboration. It is shown first that an elastic deformation occurs straight below the edges of the film pattern. Then, point defects are generated at the polysilicon-silicon interface upon oxidation. Finally the crystalline quality is perturbed in the whole bulk wafer upon further chemical and heat treatments.

Résumé
La topographie de rayons X est utilisée pour analyser les diverses étapes de fabrication d'un composant lors de la simulation d'une technologie froide (< 950 °C). On montre que, d'abord, une déformation élastique apparaît juste à l'aplomb de la bordure des motifs. Ensuite, des défauts ponctuels sont créés, sous oxydation, à l'interface silicium-silicium polycristallin. Enfin, on observe une dégradation de la qualité cristalline de la plaquette quand les traitements chimiques et thermiques sont poursuivis.

PACS
6170R - Crystal impurities: general.
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
8140E - Cold working, work hardening: post deformation annealing, recovery and recrystallisation: textures.
2530B - Semiconductor junctions.

Key words
crystal defects -- elemental semiconductors -- semiconductor junctions -- semiconductor thin films -- silicon -- polycrystalline Si Si interface -- polysilicon silicon interface -- cold technology simulation -- X ray topography -- elastic deformation -- film pattern