Rev. Phys. Appl. (Paris) 21, 489-499 (1986)
DOI: 10.1051/rphysap:01986002108048900

Méthode DDLTS utilisant une détection synchrone : application au GaAs implanté en oxygène

A. Le Bloa¹, Dang Tran Quan¹ et P.N. Favennec<sup>2

1</sup>  Groupe de Physique Cristalline, UA 040804 au C.N.R.S. Université de Rennes I, Campus de Beaulieu, 35042 Rennes Cedex, France
²  Groupement ICM/TOH, Centre National d'Etudes des Télécommunications, Lannion-B, 22301 Lannion Cedex, France

Abstract
A detailed analysis of a double correlation DLTS method using a selective lock-in amplifier is exposed The interest of this method for determining the signature of the defects and their spatial depth profiles is explained An application to oxygen multi-implanted GaAs sample is described. A single temperature scanning is needed to obtain the deconvolution of the three peaks of the observed spectrum. This operation permits to determine the « signature » and the activation energy of the corresponding defects.

Résumé
On présente l'analyse détaillée d'une méthode DLTS à double corrélation utilisant une seule détection synchrone sélective et l'on montre l'intérêt qu'elle présente pour la détermination de la signature des centres profonds dans les semiconducteurs et du profil spatial de leur concentration. Cette méthode est appliquée à la caractérisation d'un échantillon de GaAs multi-implanté en oxygène. Une seule remontée en température est nécessaire pour faire la déconvolution des pics du spectre DDLTS relevé. On détermine ainsi la signature et l'énergie d'activation des défauts correspondants.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.

Key words
deep level transient spectroscopy -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- oxygen -- III V semiconductor -- DDLTS method -- lock in amplifier -- double correlation DLTS method -- defects -- spatial depth profiles -- activation energy