Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 22, Numéro 11, novembre 1987
Page(s) 1581 - 1584
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0198700220110158100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 1581-1584 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:0198700220110158100

Modulateur electro-optique à onde guidée sur GaAs

D. Remiens, F. Mallecot, J.P. Vilcot et D. Decoster

Centre Hyperfréquences et Semiconducteurs, U.A. CNRS 287, Université des Sciences et Techniques de Lille-Flandres-Artois, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France


Abstract
We present a phase-shifter and a Mach-Zehnder type modulator that we have realized on n-/n+ GaAs homojonction using classical photolithography techniques. The characterization of the optical components has been performed and shows a 50 V Vπ voltage, a 10 dB extinction ratio and 5 dB insertion loss for the modulator.


Résumé
Nous présentons un déphaseur ainsi qu'un modulateur de type interféromètre de Mach-Zehnder que nous avons réalisés sur homojonction n- /n + GaAs en utilisant des techniques classiques de photolithographie. La caractérisation de ces composants a montré, pour le modulateur, une tension d'extinction de 50 V, un taux d'extinction de 10 dB et des pertes d'insertion de 5 dB.

PACS
4280K - Optical beam modulators.
4282 - Integrated optics.
4150 - Electro optical devices.

Key words
electro optical devices -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- integrated optics -- optical losses -- optical modulation -- semiconductor -- electro optical travelling wave modulator -- phase shifter -- Mach Zehnder type modulator -- n sup n sup + GaAs homojunction -- photolithography -- voltage -- extinction ratio -- insertion loss -- 50 V -- 5 dB -- GaAs