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Recent developments in the study of the EL2 defect in GaAs p. 726 H.J. von Bardeleben et B. Pajot DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01988002305072600 RésuméPDF (82.97 KB)
Study on fundamental defects and their effect on GaAs device properties p. 727 S. Miyazawa, K. Watanabe, J. Osaka et K. Ikuta DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01988002305072700 RésuméPDF (2.146 MB)Références
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