Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 189-194 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:01989002402018900

Propriétés électriques des structures MIS sur InP passivé par un oxyde

J. Joseph, A. Mahdjoub et Y. Robach

Laboratoire de Physicochimie des Interfaces ; UA CNRS 404, Ecole Centrale de Lyon, 69131 Ecully Cedex, France

Abstract
By oxidation of InP in liquid medium, condensed indium phosphate In (PO 3)3 could be obtained. In a previous work the physicochemical properties of this compound were studied and it was shown that it could be a good candidate for the passivation of InP. In this work MIS capacitors have been elaborated using this native oxide, C (V ) characteristics of these structures have been measured and analysed. From these results, it was inferred that the minimum of the interface state density is typically of 1011 cm-2 eV-1.

Résumé
Par oxydation de l'InP en milieu liquide on peut obtenir le phosphate condensé In(PO3)3. L'étude des propriétés physicochimiques de ce composé a déjà montré qu'il pouvait être un bon candidat à la passivation de l'InP. Dans ce travail, des capacités MIS ont été fabriquées en utilisant cet oxyde natif, et les caractéristiques C (V ) de ces structures ont été mesurées et analysées. Ces résultats montrent que le minimum de la densité d'états d'interface est typiquement de 1011 cm-2 eV -1.

PACS
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
2530F - Metal insulator semiconductor structures.
2550E - Surface treatment semiconductor technology.

Key words
III V semiconductors -- indium compounds -- interface electron states -- metal insulator semiconductor structures -- oxidation -- passivation -- capacitance voltage characteristics -- semiconductor -- passivation -- MIS capacitors -- native oxide -- interface state density -- InP In PO sub 3 sub 3