Rev. Phys. Appl. (Paris) 25, 915-921 (1990)
DOI: 10.1051/rphysap:01990002509091500

Oscillations d'intensité RHEED liées aux mécanismes de croissance de GaSb par E.J.M.

M. Nouaoura, C. Raisin, F.W.O. Da Silva, M. Dumas et L. Lassabatere

Laboratoire d'Etudes des Surfaces, Interfaces et Composants (UA CNRS D07870), Université de Montpellier , Sciences et Techniques du Languedoc, Place Eugène Bataillon, 34095 Montpellier Cedex 5, France

Abstract
We présent in this paper a study by RHEED oscillations intensities of the growth of GaSb by M.B.E. For this analysis we have studied the effects of different parameters (substrate temperature, antimony and gallium flux, the growth interruption time) on oscillation regimes and on the stabilisation of the specular reflexion intensity. The correlation of these results with growth process permitted us to clarify the MBE mechanism of GaSb.

Résumé
Dans cet article, nous présentons une étude par la méthode des oscillations de l'intensité RHEED des mécanismes de croissance de GaSb par E.J.M. Nous avons précisé l'influence de différents paramètres (température du substrat, flux d'antimoine et de gallium, temps d'interruption de croissance) sur le régime oscillatoire et sur la stabilisation de l'intensité de la tâche spéculaire. L'analyse des courbes obtenues et leur évolution permet de corréler les résultats avec le processus de croissance et de préciser les mécanismes qui interviennent dans l'épitaxie par jets moléculaires du GaSb.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
6820 - Solid surface structure.
8115G - Vacuum deposition.
0510D - Epitaxial growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
gallium compounds -- III V semiconductors -- molecular beam epitaxial growth -- reflection high energy electron diffraction -- semiconductor growth -- semiconductor -- RHEED intensity oscillations -- MBE growth -- growth mechanism -- substrate temperature -- growth interruption time -- oscillation regimes -- stabilisation -- specular reflexion intensity -- GaSb