Rev. Phys. Appl. (Paris) 25, 941-945 (1990)
DOI: 10.1051/rphysap:01990002509094100

Passivation de photodiodes pin en GaInAs par SiNx UVCVD

Y. Le Bellégo, P. Blanconnier et J.P. Praseuth

Centre National d'Etudes des Télécommunications, Laboratoire de Bagneux, 196 avenue Henri Ravera, 92220 Bagneux, France

Abstract
UVCVD SiNx thin films has been deposited at low temperature for the passivation of GaInAs pin photodiodes. A structural evaluation of the SiNx has been made by IR spectroscopy and its electrical characteristics has been evaluated on GaInAs and InP MIS structures. No degradation of the leakage current has been observed on mesa type GaInAs pin photodiodes before and after the UVCVD SiNx deposition. Finally, the passivation efficiency has been assessed by a high temperature aging experiment.

Résumé
Des films de SiNx ont été déposés à basse température par UVCVD pour la passivation de photodiodes pin en GaInAs. La structure physique du SiNx a été évaluée par spectroscopie IR et ses caractéristiques électriques grâce à la réalisation de structures MIS sur GaInAs et InP. Aucune dégradation du courant de fuite n'a été observé sur les photodiodes pin de type mesa avant et après le dépôt de SiNx . Finalement, la passivation a été testée par une expérience de vieillissement à haute température.

PACS
8160C - Surface treatment and degradation in semiconductor technology.
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
8115H - Chemical vapour deposition.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7830G - Infrared and Raman spectra in inorganic crystals.
8140G - Other heat and thermomechanical treatments.
7360H - Electrical properties of insulators thin films/low dimensional structures.
7865J - Optical properties of nonmetallic thin films.
2550E - Surface treatment semiconductor technology.
2520D - II VI and III V semiconductors.
2560H - Junction and barrier diodes.
4250 - Photoelectric devices.
2530F - Metal insulator semiconductor structures.
0520F - Chemical vapour deposition.

Key words
ageing -- chemical vapour deposition -- electronic conduction in insulating thin films -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- indium compounds -- infrared spectra of inorganic solids -- metal insulator semiconductor structures -- p i n diodes -- passivation -- photodiodes -- silicon compounds -- semiconductor -- mesa type diodes -- GaInAs pin photodiodes -- UVCVD SiN sub x thin films -- low temperature -- structural evaluation -- IR spectroscopy -- electrical characteristics -- MIS structures -- degradation -- leakage current -- high temperature aging -- SiN -- GaInAs -- InP -- InP