Rev. Phys. Appl. (Paris) 17, 383-388 (1982)
DOI: 10.1051/rphysap:01982001706038300

A complete dry etching process for MOS FET's with submicron gate length

P. Parrens, E. Raffat et P. Jeuch

C.E.A.-LETI, 85 X, 38041 Grenoble, France

Abstract
An anisotropic dry etching process for submicrometer silicon gate N channel MOS technology has been developed. Reactive ion etching was used for Si 3N4, polysilicon and phosphosilicate glass (PSG). Aluminum was plasma etched. The process includes tapered etching of contact holes in PSG and planarization of PSG to improve step coverage of metallization and to facilitate aluminum etching. MOS devices with gate length as small as 0.6 μm have been successfully fabricated with this process.

Résumé
Un procédé de gravure sèche a été mis au point pour la fabrication de transistors MOS submicroniques en technologie canal N grille silicium. La gravure ionique réactive a été utilisée pour graver le Si3N4, le silicium polycristallin et le SiO 2 déposé dopé au phosphore (PSG). L'aluminium a été gravé par plasma. Le procédé foumit une gravure en pente des trous de contact dans le PSG et une surface aplanie du PSG, ceci pour améliorer la couverture aux marches de la métallisation et pour faciliter la gravure de l'aluminium. Des transistors MOS ayant des longueurs de grilles de 0,6 μm ont été fabriqués avec succès selon ce procédé.

PACS
2550E - Surface treatment semiconductor technology.
2560R - Insulated gate field effect transistors.
2570F - Other MOS integrated circuits.

Key words
field effect integrated circuits -- insulated gate field effect transistors -- integrated circuit technology -- sputter etching -- FET -- Si gate -- poly Si -- plasma etched Al -- reactive ion etching -- dry etching process -- submicron gate length -- N channel MOS technology -- Si sub 3 N sub 4 -- phosphosilicate glass -- contact holes -- metallization