Rev. Phys. Appl. (Paris) 17, 389-391 (1982)
DOI: 10.1051/rphysap:01982001706038900

Protection des transistors MOS en régime de deuxième claquage

H. Tranduc et P. Rossel

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C.N.R.S., 7, avenue du Colonel Roche, 31400 Toulouse, France

Abstract
A new method for stabilizing the operating point of MOS transistors in the second breakdown state, is proposed : the current crowding mechanism is avoided by using the electrical feed back of a distributed ballast resistance integrated in series with the source electrode.

Résumé
On propose une méthode originale de stabilisation du fonctionnement des transistors MOS dans le régime de deuxième claquage. Elle est basée sur l'utilisation d'une résistance intégrée et répartie de source, dite « ballast », qui, par contre-réaction électrique, évite les mécanismes de concentration et de focalisation des lignes de courant et protège le composant contre toute destruction par point chaud localisé.

PACS
2560R - Insulated gate field effect transistors.

Key words
electric breakdown of solids -- insulated gate field effect transistors -- operating point stabilisation -- MOS transistors -- second breakdown state -- current crowding mechanism -- electrical feedback -- distributed ballast resistance -- source electrode