Rev. Phys. Appl. (Paris) 6, 1-4 (1971)
DOI: 10.1051/rphysap:01971006010100

Dispositif utilisant la transmission hyperfréquence pour mesurer la durée de vie des porteurs injectés dans un échantillon semi-conducteur à basse température. Application à la diode pin

M. Brousseau, J. Barrau et J.C. Brabant

Laboratoire de Physique des Solides, associé au C. N. R. S. Faculté des Sciences et I. N. S. A., 118, route de Narbonne, 31, Toulouse (04)

Abstract
We describe a set up used for studies of recombination processes injected carriers in semiconductors : the principle of the method is the transient absorption of microwaves by free carriers. This apparatus, presently applied for measurements in PIN structures, allows the determination of carrier lifetimes above 4 x 10-9 s when the temperature is chosen above 4.2 °K.

Résumé
Nous présentons un ensemble expérimental destiné à l'étude de processus de recombinaison des porteurs injectés dans un matériau semiconducteur : il utilise l'absorption d'une onde électromagnétique hyperfréquence par les porteurs libres. Ce dispositif, actuellement appliqué à l'étude de la recombinaison des porteurs injectés dans la zone intermédiaire de structures PIN permet des mesures de durées de vie égales ou supérieures à 4 x 10- 9 s la température étant supérieure à 4 °K.

PACS
0750 - Electrical instruments and techniques.
7220 - Electrical conductivity phenomena in semiconductors and insulators.
2560 - Semiconductor devices.

Key words
microwave devices -- microwave measurement -- semiconductors -- PIN diode -- low temperatures -- recombination processes -- injected carriers -- semiconductors -- transient absorption -- microwaves -- free carriers -- lifetimes