Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 625-628 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012062500

R.F. sputtered amorphous silicon schottky Barrier solar cells

M. J. Thompson, J. Allison, M. M. Al-Kaisi et I.P. Thomas

Department of Electronic Engineering, University of Sheffield, U.K.

Abstract
The preparation of hydrogenated, r.f. sputtered a-Si films, suitable for large area solar cell arrays is discussed. Optical and electrical measurements on such materials contacted with a variety of metals are detailed. Initial experimental prototype cells, with areas up to 1 cm2 and efficiencies of around 2 %, are described.

Résumé
On a discuté de la préparation des films a-Si hydrogéné, obtenus par pulvérisation r.f. et pouvant conduire à des cellules solaires de grandes dimensions. On a détaillé la mesure optique et électrique sur de pareils matériaux en rapport avec une diversité de métaux. On a décrit des éléments prototypes et expérimentaux ayant des dimensions jusqu'à 1 cm2 et des efficacités de 2 % environ.

PACS
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
7865J - Optical properties of nonmetallic thin films.
8115C - Deposition by sputtering.
8630J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
0520F - Chemical vapour deposition.
8420 - Solar cells and arrays.

Key words
electrical conductivity of amorphous semiconductors and insulators -- elemental semiconductors -- radiofrequency sputtering -- Schottky effect -- semiconductor thin films -- silicon -- solar cells -- Schottky barrier solar cells -- RF sputtering amorphous Si films -- semiconductor device -- optical properties -- electrical conductivity