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Revue de Physique Appliquée

Volume 17 / Numéro 7 (juillet 1982)


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An analytical approximation for the I-V characteristic of the MISS device p. 401

J. Millán, F. Serra-Mestres and X. Aymerich-Humet
DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01982001707040100
  • Abstract
  • PDF (461.8 KB)
  • References

Etude du dopage de l'arséniure de gallium par la technique d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques p. 405

G. Keil, M. Le Métayer, A. Cuquel and D. Le Pollotec
DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01982001707040500
  • Abstract
  • PDF (1.136 MB)
  • References

Une photopile à haut rendement pour utilisation spatiale p. 415

M. Le Métayer, G. Keil, A. Cuquel and J. Bozec
DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01982001707041500
  • Abstract
  • PDF (767.0 KB)
  • References

Une évaluation probabiliste pour l'erreur d'orientation des héliostats p. 421

V. Bădescu
DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01982001707042100
  • Abstract
  • PDF (2.279 MB)
  • References

Direction et distance d'analyse à la sonde atomique p. 435

D. Blavette, J.M. Sarrau, A. Bostel and J. Gallot
DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01982001707043500
  • Abstract
  • PDF (755.1 KB)
  • References

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