An analytical approximation for the I-V characteristic of the MISS device p. 401 J. Millán, F. Serra-Mestres et X. Aymerich-Humet DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01982001707040100 RésuméPDF (461.8 KB)Références
Etude du dopage de l'arséniure de gallium par la technique d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques p. 405 G. Keil, M. Le Métayer, A. Cuquel et D. Le Pollotec DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01982001707040500 RésuméPDF (1.136 MB)Références
Une photopile à haut rendement pour utilisation spatiale p. 415 M. Le Métayer, G. Keil, A. Cuquel et J. Bozec DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01982001707041500 RésuméPDF (767.0 KB)Références
Une évaluation probabiliste pour l'erreur d'orientation des héliostats p. 421 V. Bădescu DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01982001707042100 RésuméPDF (2.279 MB)Références
Direction et distance d'analyse à la sonde atomique p. 435 D. Blavette, J.M. Sarrau, A. Bostel et J. Gallot DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01982001707043500 RésuméPDF (755.1 KB)Références
