Rev. Phys. Appl. (Paris) 20, 151-155 (1985)
DOI: 10.1051/rphysap:01985002003015100

Oxydation du silicium par bombardement électronique. Influence de la pollution par le carbone

L. Pilorget, J.L. Chartier et R. Le Bihan

Laboratoire de Physique des Surfaces , Institut de Physique, Université de Nantes, 44072 Nantes Cedex, France

Abstract
Silicon oxydation is realized by an electron beam in the three following conditions : 1) under the residual atmosphere in the vacuum chamber after closing the pumping connexion, 2) under the same conditions and introduction of dry O2, 3) under a constant flow of dry oxygen in the vacuum chamber. Silicon oxides are analysed by Auger spectrometry during the oxidation. The results obtained in these three cases are compared between them and with a thermal silicon oxide. The influence of residual gases on the results is shown.

Résumé
L'oxydation du silicium monocristallin a été effectuée par bombardement électronique dans les trois conditions suivantes : 1) dans l'atmosphère résiduelle de l'enceinte à vide après isolation du groupe de pompage, 2) dans les mêmes conditions après introduction d'oxygène sec, 3) en présence d'un flux constant d'oxygène sec dans l'enceinte à vide. Les oxydes sont analysés par spectrométrie Auger en cours d'oxydation. Les oxydes obtenus sont comparés entre eux et à l'oxyde thermique. L'influence de l'atmosphère résiduelle est montrée.

PACS
7920F - Electron surface impact: Auger emission.
8160C - Surface treatment and degradation in semiconductor technology.

Key words
Auger effect -- carbon -- electron beam effects -- oxidation -- silicon -- silicon compounds -- Si oxidation -- SiO sub x :C -- electron beam -- Auger spectroscopy